The disclosed nonvolatile ferroelectric memory device is configured to
reduce the frequency of whole chip operation by performing a cell
operation at transition points of a reset signal and a write enable signal
instead of performing the cell operation at a transition point of a chip
enable signal. As a result, data latched in a sense amplifier can be
outputted without performing the whole chip operation, thereby improving
reliability of the cell and reducing power consumption.
Η αποκαλυπτόμενη αμετάβλητη σιδηροηλεκτρική συσκευή μνήμης διαμορφώνεται για να μειώσει τη συχνότητα ολόκληρης της λειτουργίας τσιπ με την εκτέλεση μιας λειτουργίας κυττάρων στα σημεία μετάβασης ενός σήματος αναστοιχειοθέτησης και γράψτε ότι επιτρέψτε το σήμα αντί της εκτέλεσης της λειτουργίας κυττάρων σε ένα σημείο μετάβασης ενός τσιπ επιτρέπει το σήμα. Κατά συνέπεια, τα στοιχεία έκλεισαν από μία άποψη τον ενισχυτή με το μάνταλο μπορούν να είναι χωρίς την εκτέλεση ολόκληρης της λειτουργίας τσιπ, με αυτόν τον τρόπο τη βελτίωση της αξιοπιστίας του κυττάρου και μείωση της κατανάλωσης ισχύος.
