Controlling or stabilising the lasing wavelength of a source of laser
radiation, wherein the source of laser radiation comprises a semiconductor
material laser, a substrate to which the laser is mounted, a resonant
optical cavity within the semiconductor material, the cavity having an
active medium for generating laser radiation and one or more gaps in the
semiconductor material within the cavity, wherein the substrate is
deformable by the application of a mechanical stress to vary the size of
the gap(s) in order to change the optical size of the gap(s) and hence to
vary the wavelength of laser radiation generated by the semiconductor
laser.
Controlando o estabilizando la longitud de onda lasing de una fuente de la radiación de laser, en donde la fuente de la radiación de laser abarca un laser del material del semiconductor, un substrato a los cuales se monte el laser, una cavidad óptica resonante dentro del material del semiconductor, la cavidad que tiene un medio activo para generar la radiación de laser y unos o más boquetes en el material del semiconductor dentro de la cavidad, en donde el substrato es deformable por el uso de una tensión mecánica variar el tamaño del gap(s) para cambiar el tamaño óptico del gap(s) y por lo tanto variar la longitud de onda de la radiación de laser generada por el laser del semiconductor.
