Coupled cavity high power semiconductor laser

   
   

An active gain region sandwiched between a 100% reflective bottom. Bragg mirror and an intermediate partially reflecting Bragg mirror is formed on a lower surface of a supporting substrate, to thereby provide the first ("active") resonator cavity of a high power coupled cavity surface emitting laser device. The bottom mirror is preferably in direct thermal contact with an external heat sink for maximum heat removal effectiveness. The reflectivity of the intermediate mirror is kept low enough so that laser oscillation within the active gain region will not occur. The substrate is entirely outside the first active resonator cavity to a level sufficient to cause lasing. The substrate is entirely outside the active cavity but is contained within a second ("passive") resonator cavity defined by the intermediate mirror and a partially reflecting output mirror, where it is subjected to only a fraction of the light intensity that is circulating in the gain region. The active gain region is preferably electrically excited, with a circular bottom electrode formed by an oxide current aperture between the bottom mirror and the heat sink, and with an annular top electrode formed on an upper surface of the substrate.

Une région active de gain serrée entre un fond 100% r3fléchissant. Le miroir de Bragg et une intermédiaire reflétant partiellement le miroir de Bragg est formé sur un intrados d'un substrat de support, pour fournir de ce fait la première ("actif") cavité de résonateur d'un dispositif d'émission extérieur couplé de laser de cavité de puissance élevée. Le miroir inférieur est de préférence dedans contact thermique direct avec un radiateur externe pour l'efficacité maximum de déplacement de la chaleur. La réflectivité du miroir intermédiaire est gardée assez bas de sorte que l'oscillation de laser dans la région active de gain ne se produise pas. Le substrat est entièrement extérieur la première cavité active de résonateur à un niveau suffisamment pour causer lasing. Le substrat est entièrement en dehors de la cavité active mais est contenu dans une deuxième ("passif") cavité de résonateur définie par le miroir intermédiaire et un miroir se reflétant partiellement de rendement, où il est soumis seulement à une fraction de l'intensité de la lumière qui circule dans la région de gain. La région active de gain est de préférence électriquement excitée, avec une électrode de sole circulaire constituée par une ouverture courante d'oxyde entre le miroir inférieur et le radiateur, et avec une électrode supérieure annulaire formée sur un extrados du substrat.

 
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