Memory architecture for TCCT-based memory cells

   
   

A memory architecture especially adapted to provide an architecture to house one or more TCCT-based memory cells and to provide a reference signal. The memory architecture is designed to effectively resolve stored information from memory cells into logical values, such as logical "0" and "1." An exemplary memory architecture includes a data block that comprises a first set of one or more bit lines, where a word line one line extends to a first subset of the first set of the one or more bit lines. The data block also includes a word line two line extending to a second subset of the first set of the one or more bit lines. A memory cell is coupled to the word line one line, the word line two line and a common bit line of the first and second subsets of bit lines.

Uma arquitetura da memória adaptou-se especial para fornecer uma arquitetura à casa um ou mais pilha de memória de TCCT-based e para fornecer um sinal da referência. A arquitetura da memória é projetada resolver eficazmente a informação armazenada das pilhas de memória em valores lógicos, tais como "0 lógico" e "1." Uma arquitetura exemplary da memória inclui um bloco dos dados que compreenda um primeiro jogo de um ou mais linha do bocado, onde uma linha uma linha da palavra estende a um primeiro subconjunto do primeiro jogo de o um ou mais linha do bocado. O bloco dos dados inclui também uma linha dois linha da palavra que estende a um segundo subconjunto do primeiro jogo de o um ou mais linha do bocado. Uma pilha de memória é acoplada à linha uma linha da palavra, a linha dois da palavra alinha e uma linha comum do bocado dos primeiros e segundos subconjuntos de linhas do bocado.

 
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< Semiconductor device, a method of manufacturing the same and storage media

< Image forming apparatus for reducing a system return time

> Segmented metal bitlines

> Semiconductor memory device provided with test memory cell unit

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