Probe card and method of testing wafer having a plurality of semiconductor devices

   
   

A probe card for testing a wafer having formed a plurality of semiconductor chips, the probe card including a board and a multi-layer substrate. The probe card may also include a flexible substrate. A contact electrode, located opposite from an electrode on one of the chips, is disposed above or below the flexible substrate, or may be provided on an elastic material on the multi-layered substrate. A first wiring has a first portion connected to the contact electrode, a level transitioning portion extending from a level of the first portion to the multi-layer substrate at a lower level, and a connecting terminal at an end of the level transitioning portion connected to an internal terminal on the multi-layered substrate. A second wiring in the multi-layered substrate connects the internal terminal to an external terminal at a periphery of the multi-layer substrate. A third wiring on the board connects the external terminal on the multi-layer substrate to an external connecting terminal on the board. Displacements of the internal terminal resulting from the temperature load applied during testing of the wafer are compensated by the level transitioning portion of the first wiring. Unevenness involved with the contact between the contact electrodes on the probe card and the electrodes on the chips are compensated by the contact electrodes and/or elastic material. An electrode pitch of the contact electrodes is expanded by the first wiring.

Карточка зонда для испытывать вафлю формируя множественность обломоков полупроводника, карточка зонда включая доску и разнослоистый субстрат. Карточка зонда может также включить гибкий субстрат. Электрод контакта, обнаруженная местонахождение противоположность от электрода на одном из обломоков, размещан над или под гибким субстратом, или может быть обеспечен на эластичном материале на multi-layered субстрате. Первая проводка имеет первую часть соединенную к электроду контакта, ровную transitioning часть удлиняя от уровня первой части к разнослоистому субстрату на lower level, и соединяясь стержень на конце ровной transitioning части подключенной к внутренне стержню на multi-layered субстрате. Вторая проводка в multi-layered субстрате подключает внутренне стержень к внешнему стержню на периферии разнослоистого субстрата. Третья проводка на доске подключает внешний стержень на разнослоистом субстрате к внешнему соединяясь стержню на доске. Смещения внутренне стержня приводя к от нагрузки температуры приложенной во время испытывать вафли компенсированы ровной transitioning частью первой проводки. Невыдержанность, котор включили с контактом между электродами контакта на карточке зонда и электродами на обломоках компенсирована электродами контакта and/or эластичным материалом. Тангаж электрода электродов контакта расширен первой проводкой.

 
Web www.patentalert.com

< Integrated circuit inductor with a magnetic core

< EL display device and electronic device

> Fluid deionization flow through capacitor systems

> Semiconductor-device inspecting apparatus and a method for manufacturing the same

~ 00125