Non-leaded semiconductor package and method of fabricating the same

   
   

A non-leaded semiconductor package and method of fabricating the same is proposed, which can be used for the fabrication of a non-leaded type of semiconductor package, such as a CQFN (Carrierless Quad Flat No-lead) package. The proposed semiconductor packaging technology is characterized by the use of a metal plate as provisional chip carrier during fabrication and by the use of RDL (Redistribution Layer) technology to provide internal electrical interconnections between the I/O pads of the packaged chip and the non-leaded external electrical contacts. These features allow the fabrication of the CQFN package to be implemented without the use of bonding wires for internal electrical connections and without the use of substrate as a permanent chip carrier.

Ein nicht-verbleites Halbleiterpaket und eine Methode des Fabrizierens dasselbe wird, die für die Herstellung einer nicht-verbleiten Art Halbleiterpaket verwendet werden können, wie ein CQFN (das Carrierless Viererkabel flach bleifrei) Paket vorgeschlagen. Die vorgeschlagene Halbleiterverpackentechnologie wird durch den Gebrauch einer Metalplatte während provisorischer Chipträger während der Herstellung und durch den Gebrauch von RDL (Wiederverteilung-Schicht) Technologie, interne elektrische Verbindungen zwischen den I/O Auflagen des verpackten Spanes und den nicht-verbleiten externen elektrischen Kontakten zur Verfügung zu stellen gekennzeichnet. Diese Eigenschaften erlauben, daß die Herstellung des CQFN Pakets ohne den Gebrauch von Abbinden der Leitungen für interne elektrische Anschlüsse und ohne den Gebrauch des Substrates als dauerhafter Chipträger eingeführt wird.

 
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