A process for forming a thin layer of Silicon nanocrystals in an oxide
layer is disclosed. The process includes, on a semiconductive substrate,
thermally oxidizing a first portion of the substrate into an oxide layer,
forming Silicon ions within the layer of oxide, and thermally treating the
Silicon ions to become the thin layer of Silicon nanocrystals. In the
inventive process the formation of the Silicon ions is by ionic
implantation of the Silicon ions into the oxide at an ionization energy of
between 0.1 keV and 7 keV, and preferably between 1 and 5 keV. This allows
the Silicon atoms to coalesce in a lower temperature than would otherwise
be possible. Additionally, more than one layer of nanocrystals can be
formed by performing more than one implantation at more than one energy
level. Embodiments of the invention can be used to form non-volatile
memory devices with a very high quality having a very small size.
Un processo per formare uno strato sottile dei nanocrystals del silicone in uno strato dell'ossido è rilevato. Il processo include, su un substrato semiconductive, ossidante termicamente una prima parte del substrato in uno strato dell'ossido, formante gli ioni del silicone all'interno dello strato dell'ossido e trattante termicamente gli ioni del silicone per transformarsi in nello strato sottile dei nanocrystals del silicone. Nel processo inventivo la formazione degli ioni del silicone è tramite impianto ionico degli ioni del silicone nell'ossido ad un'energia di ionizzazione tra compreso 0.1 KeV e 7 KeV e preferibilmente fra 1 e 5 KeV. Ciò permette che gli atomi del silicone si uniscano in una temperatura più insufficiente che sia al contrario possibile. Ulteriormente, più di uno strato dei nanocrystals può essere costituito dal realizzare più di un impianto a più di un livello di energia. I metodi di realizzazione dell'invenzione possono essere usati per formare i dispositivi di memoria non volatile con una qualità molto alta che ha un formato molto piccolo.
