A process for improving the accuracy of critical dimension measurements of
features patterned on a photoresist layer using a scanning electron
microscope (SEM) is disclosed herein. The process includes providing an
electron beam to the photoresist layer and transforming the surface of the
photoresist layer before the SEM inspection. The surface of the
photoresist layer is transformed to trap the outgassing volatile species
and dissipates built up charge in the photoresist layer, resulting in SEM
images without poor image contrast.
Un procédé pour améliorer l'exactitude des mesures critiques de dimension des dispositifs modelés sur une couche de vernis photosensible employant un microscope électronique de balayage (SEM) est révélé ci-dessus. Le processus inclut fournir un faisceau d'électrons à la couche de vernis photosensible et transformer la surface de la couche de vernis photosensible avant l'inspection de SEM. La surface de la couche de vernis photosensible est transformée pour emprisonner les espèces volatiles outgassing et absorbe la charge accumulée dans la couche de vernis photosensible, ayant pour résultat des images de SEM sans contraste faible d'image.
