A memory cell part of a semiconductor substrate is formed with a
cylindrical capacitor opening extending perpendicularly to the main
surface of the semiconductor substrate. The cylindrical capacitor opening
passes through a silicon oxide film, a silicon nitride film and another
silicon oxide film in this order. A capacitor lower electrode, a
dielectric film and a capacitor upper electrode are formed in the
cylindrical capacitor opening along the surface of the cylindrical
capacitor opening. The bottom surface of the cylindrical capacitor opening
is formed below the main surface of silicon nitride film. Thus obtained is
a semiconductor device capable of improving refreshability and soft error
resistance.
Speicherzelle Teil eines Halbleitersubstrates wird mit einer zylinderförmigen Kondensatoröffnung dargestellt, die senkrecht zur Hauptoberfläche des Halbleitersubstrates verlängert. Die zylinderförmige Kondensatoröffnung überschreitet durch einen Silikonoxidfilm, einen Silikonnitridfilm und einen anderen Silikonoxidfilm in diesem Auftrag. Eine unterere Elektrode des Kondensators, ein dielektrischer Film und eine obere Elektrode des Kondensators werden in der zylinderförmigen Kondensatoröffnung entlang der Oberfläche der zylinderförmigen Kondensatoröffnung gebildet. Die Grundfläche der zylinderförmigen Kondensatoröffnung wird unterhalb der Hauptoberfläche des Silikonnitridfilmes gebildet. So erhalten ein Halbleiterelement, das zum Verbessern refreshability und Minoritätsfehlerdes widerstandes fähig ist.
