A semiconductor-on-insulator (SOI) device. The SOi device includes a
substrate, an insulator layer disposed on the substrate and an active
region disposed on the insulator layer. The active region includes a
source, a drain, and a body disposed therebetween. The source and body
form an abrupt or hyperabrupt source/body junction. A gate is disposed on
the body to operatively form a transistor. An implanted region forms an
interface between the body and the drain, the implanted region formed by
tilted atom implantation in a direction towards the active region and
under the gate from an angle tilted towards the drain with respect to
vertical, the implanted region resulting in the formation of a graded
drain/body junction. Also disclosed is a method of fabricating the SOI
device.
Un dispositif de l'semi-conducteur-sur-isolateur (SOI). Le dispositif de SOi inclut un substrat, une couche de isolateur disposée sur le substrat et une région active disposée sur la couche de isolateur. La région active inclut une source, un drain, et un corps disposé therebetween. La source et le corps forment une jonction brusque ou du hyperabrupt source/body. Une porte est disposée sur le corps pour former opérativement un transistor. Une région implantée forme une interface entre le corps et le drain, la région implantée constituée par implantation inclinée d'atome dans une direction vers la région active et sous la porte d'un angle incliné vers le drain en ce qui concerne la verticale, la région implantée ayant pour résultat la formation d'une jonction évaluée de drain/body. En outre révélée est une méthode de fabriquer le dispositif de SOI.
