In a semiconductor element (1) provided with a source region (3) and a
drain region (4) both formed in a well (2), and a gate electrode (7)
fabricated on a channel region (5), formed between these regions, through
a gate insulting film (6), each element is electrically isolated by means
of an SOI substrate and a field oxide film, for example, and a substrate
terminal (TW) is pulled out from the channel region (5) via a contact hole
formed through an inter-layer insulating film in each element at a region
other than the source region (3) and drain region (4). Consequently, a
2-input-1-output element having the gate terminal (TG) and substrate
terminal (TW) as two inputs can be realized, thereby making it possible to
improve a packing density and operating rate while reducing the costs when
forming a logic circuit or the like.
En un elemento del semiconductor (1) proporcionó una región de la fuente (3) y una región del dren (4) ambos formados en un (2) bien, y un electrodo de puerta (7) fabricó en una región del canal (5), formada entre estas regiones, a través de una película que insultaba de la puerta (6), cada elemento se aísla eléctricamente por medio de un substrato de SOI y una película del óxido del campo, por ejemplo, y un terminal del substrato (TW) se saca de la región del canal (5) vía un agujero del contacto formado a través de una película aislador de la capa intermediaria en cada elemento en una región con excepción de la región de la fuente (3) y de la región del dren (4). Por lo tanto, un elemento 2-input-1-output que tiene el terminal de la puerta (TG) y terminal del substrato (TW) como dos entradas pueden ser observadas, de tal modo permitiendo mejorar una densidad de embalaje y una tarifa de funcionamiento mientras que reduce los costes al formar un circuito de lógica o los similares.
