The semiconductor device of the present invention includes: a gallium
nitride (GaN) compound semiconductor layer; and a Schottky electrode
formed on the GaN compound semiconductor layer, wherein the Schottky
electrode contains silicon.
Il dispositivo a semiconduttore di presente invenzione include: uno strato a semiconduttore compound del nitruro del gallio (GaN); e un elettrodo dello Schottky ha formato sullo strato a semiconduttore compound di GaN, in cui l'elettrodo dello Schottky contiene il silicone.
