There is provided a semiconductor laser device implementing a single
transverse mode oscillation in an oscillation wavelength of 780 nm band
and also having high reliability and long life in high-output driving
state, and an optical disk recording and reproducing apparatus with use of
the semiconductor laser device. A multiple quantum well active layer 105
is composed of InGaAsP, and a first cladding layer 103, a second cladding
layer 107, a third cladding layer 109, and a first current blocking layer
112 are structured from III-V group compound semiconductor containing only
As as V group element. Inside the first current blocking layer 112, a
hollow portion 130 is provided in the vicinity of and approximately
parallel to the ridge stripe-shaped third cladding layer 109.
É fornecido um dispositivo do laser do semicondutor que executam uma única oscilação da modalidade transversal em um wavelength da oscilação da faixa de 780 nm e também que têm a confiabilidade elevada e a vida longa no estado dirigindo high-output, e uma gravação ótica do disco e reproduzindo o instrumento com o uso do dispositivo do laser do semicondutor. Uma camada ativa 105 do poço múltiplo do quantum é composta de InGaAsP, e uma primeira camada 103 do cladding, uma segunda camada 107 do cladding, uma terceira camada 109 do cladding, e uma primeira camada de obstrução atual 112 são estruturadas do semicondutor composto do grupo de III-V que contem somente como enquanto elemento do grupo de V. Dentro da primeira camada de obstrução atual 112, uma parcela oca 130 é fornecida na vizinhança e aproximadamente paralelo à terceira camada listra-dada forma cume 109 do cladding.
