A pn-junction type compound semiconductor light-emitting device having a
substrate formed of a crystal, a first barrier layer provided on the
substrate and formed of an undoped boron phosphide-base semiconductor of
first conduction type, and a light-emitting layer of a first or a second
conduction type provided on the first barrier layer including a plurality
of superposed constituent layers formed of group III nitride
semiconductors each having a different band gap. The constituent layer of
the light-emitting layer provided closest to the first barrier layer is a
first light-emitting constituent layer formed of a group III nitride
semiconductor containing phosphorus (P). A method for producing the
semiconductor light-emitting device is also disclosed.
Un type dispositif luminescent de PN-JONCTION de semi-conducteur composé ayant un substrat constitué d'un cristal, une première couche-barrière fournie sur le substrat et constituée d'un semi-conducteur non dopé de phosphure-base de bore du premier type de conduction, et une couche luminescente d'une première ou un deuxième type de conduction a fourni sur la première couche-barrière comprenant une pluralité de couches constitutives superposées constituées des semi-conducteurs chacun de nitrure du groupe III ayant un espace différent de bande. La couche constitutive de la couche luminescente a fourni le plus étroitement à la première couche-barrière est une première couche constitutive luminescente constituée d'un semi-conducteur de nitrure du groupe III contenant le phosphore (p). Une méthode pour produire le dispositif luminescent de semi-conducteur est également révélée.
