The present invention provides a low-k dielectric constant structure and
method of forming the same on a substrate 10 that features having a
dielectric layer 20 with differing regions of density 12 and 18. To that
end, the method includes depositing, upon the substrate, a dielectric
layer having first and second density regions. The density associated with
the second density region being greater than the density associated with
the first density region, and the first density region being disposed
between the substrate and the second density region.
Присытствыющий вымысел обеспечивает nizkie-k структуру диэлектрической константы и метод формировать эти же на субстрате 10 характеристики имея диэлектрический слой 20 с отличая зонами плотности 12 и 18. To that end, метод вклюает депозировать, на субстрате, диэлектрический слой имея сперва и вторые зоны плотности. Плотность связала при вторая зона плотности greater than плотностью связанной с первой зоной плотности, и первая зона плотности будучи размещанной между субстратом и второй зоной плотности.
