A magnetoresistance effect device has the basic structure of
substrate/sublayer/NiFe layer/CoFe layer/non-magnetic layer/fixed magnetic
layer/antiferromagnetic layer. The sublayer may be Ta at a film thickness
of not less than 0.2 nm but less than 3.0 nm, or Hf at a film thickness of
not less than 0.2 nm but not greater than 1.5 nm, or Zr at a film
thickness of not less than 0.2 nm but not greater than 2.5 nm. It is
permissible to use only an NiFe layer instead of the NiFe layer/CoFe
layer.
Un dispositif d'effet de magnétorésistance a la structure de base d'une couche magnétique de substrate/sublayer/NiFe layer/CoFe layer/non-magnetic layer/fixed layer/antiferromagnetic. La sous-couche peut être Ta à une épaisseur de film de pas moins de 0.2 nm mais moins de de 3.0 nm, ou à haute fréquence à une épaisseur de film de pas moins de 0.2 nm mais de 1.5 non plus grands que nm, ou Zr à une épaisseur de film de pas moins de 0.2 nm mais de 2.5 non plus grands que nm. Il est permis d'employer seulement une couche de NiFe au lieu de la couche de NiFe layer/CoFe.
