On a semiconductor substrate (1), a double hetero structure portion (6) in
which an active layer (4) having smaller band gap is sandwiched between
semiconductor layers (3, 5) having larger band gap than that of the active
layer (4) is formed. A light reflection film (9) is formed at least a part
of side walls of the double hetero structure portion (6). As a result, a
semiconductor light emitting device that light which leaks from side wall
of light emitting area in a chip is reduced and emission light can be
outputted efficiently can be obtained.
Sur un substrat de semi-conducteur (1), une double partie de structure de hetero (6) dans laquelle une couche active (4) ayant un plus petit espace de bande est serrée entre le semi-conducteur pose (3, 5) ayant un plus grand espace de bande que cela de la couche active (4) est formés. Un film léger de réflexion (9) est formé au moins une pièce de murs latéraux de la double partie de structure de hetero (6). En conséquence, un dispositif d'émission léger de semi-conducteur qui s'allument que des fuites du mur latéral de la lumière émettant le secteur dans un morceau est réduit et lumière d'émission peut être outputted efficacement peut être obtenu.
