The formation of microelectronic structures in trenches and vias of an
integrated circuit wafer are described using nanocrystal solutions. A
nanocrystal solution is applied to flood the wafer surface. The solvent
penetrates the trench recesses within the wafer surface. In the process,
nanocrystals dissolved or suspended in the solution are carried into these
regions. The solvent volatilizes more quickly from the wafer plateaus as
compared to the recesses causing the nanocrystals to become concentrated
in the shrinking solvent pools within the recesses. The nanocrystals
become stranded in the dry trenches. Heating the wafer to a temperature
sufficient to sinter or melt the nanocrystals results in the formation of
bulk polycrystalline domains. Heating is also carried out concurrently
with nanocrystals solution deposition. Copper nanocrystals of less than
about 5 nanometers are particularly well suited for formation of
interconnects at temperatures of less than 350 degrees Celsius.
La formazione delle strutture microelettroniche in trincee ed i vias di una cialda del circuito integrato sono descritti usando le soluzioni nanocrystal. Una soluzione nanocrystal è applicata per sommergere la superficie della cialda. Il solvente penetra gli incavi della trincea all'interno della superficie della cialda. Nel processo, i nanocrystals dissolti o sospesi nella soluzione sono trasportati in queste regioni. Il solvente si volatilizza più rapidamente dai plateau della cialda rispetto agli incavi che inducono i nanocrystals ad essere concentrati negli stagni solvibili shrinking negli incavi. I nanocrystals sono incagliati nelle trincee asciutte. Il riscaldamento della cialda ad una temperatura sufficiente per sinterizzare o fondere i nanocrystals provoca la formazione dei dominii policristallini all'ingrosso. Il heating inoltre è effettuato contemporaneamente al deposito della soluzione di nanocrystals. I nanocrystals di rame di meno circa 5 nanometri sono specialmente buono adatti per formazione di collega alle temperature centigrado di più meno di 350 gradi.
