The invention relates to methods and apparatus that allow data to be stored
in a magnetic memory cell, such as a giant magneto-resistance (GMR) cell,
of a magnetoresistive random access memory (MRAM). Embodiments of the
invention advantageously wind a word line around a magnetic memory cell to
increase the magnetic field induced by the word line. The word line can be
formed by connecting a segment in a first layer to a segment in a second
layer with the memory cell disposed between the first layer and the second
layer. Advantageously, embodiments of the invention can include relatively
narrow magnetic memory cells, and/or bit lines, have relatively high write
selectivity, and can use relatively low word currents to store data. In
one MRAM, current is passed through a word line by allowing current to
flow through a corresponding word row line and a corresponding word column
line.
La invención se relaciona con los métodos y los aparatos que permiten que los datos sean almacenados en una célula de memoria magnética, tal como una célula gigante de la magnetorresistencia (GMR), de una memoria de acceso al azar magnetoresistente (MRAM). Las encarnaciones de la invención enrollan ventajoso una línea de la palabra alrededor de una célula de memoria magnética para aumentar el campo magnético inducido en la línea de la palabra. La línea de la palabra puede ser formada conectando un segmento en una primera capa con un segmento en una segunda capa con la célula de memoria dispuesta entre la primera capa y la segunda capa. Ventajoso, las encarnaciones de la invención pueden incluir las células de memoria magnéticas relativamente estrechas, y/o mordieron líneas, las tienen relativamente arriba escribir selectividad, y pueden utilizar corrientes relativamente bajas de la palabra para almacenar datos. En un MRAM, la corriente es pasada a través de una línea de la palabra permitiendo que la corriente atraviese una línea correspondiente de la fila de la palabra y una línea de columna correspondiente de la palabra.
