Cu interconnections embedded in an interconnection slot of a silicon oxide
film are formed by polishing using CMP to improve the insulation breakdown
resistance of a copper interconnection formed using the Damascene method,
and after a post-CMP cleaning step, the surface of the silicon oxide film
and Cu interconnections is treated by a reducing plasma (ammonia plasma).
Subsequently, a continuous cap film (silicon nitride film) is formed
without vacuum break.
Соединения cu врезанные в шлице соединения пленки окиси кремния сформированы путем полировать используя cmp для того чтобы улучшить сопротивление нервного расстройства изоляции медного сформированного соединения использующ damascene метод, и после шага чистки post-CMP, поверхность пленки окиси кремния и соединений cu обработана уменьшая плазмой (плазмой амиака). Затем, непрерывная пленка крышки (пленка нитрида кремния) сформирована без пролома вакуума.
