Use of deuterated gases for the vapor deposition of thin films for low-loss optical devices and waveguides

   
   

Devices and methods for the vapor deposition of amorphous, silicon-containing thin films using vapors comprised of deuterated species. Thin films grown on a substrate wafer by this method contain deuterium but little to no hydrogen. Optical devices comprised of optical waveguides formed using this method have significantly reduced optical absorption or loss in the near-infrared optical spectrum commonly used for optical communications, compared to the loss in waveguides formed in thin films grown using conventional vapor deposition techniques with hydrogen containing precursors. In one variation, the optical devices are formed on a silicon-oxide layer that is formed on a substrate, such as a silicon substrate. The optical devices of some variations are of the chemical species SiO.sub.x N.sub.y :D. Since the method of formation requires no annealing, the thin films can be grown on electronic and optical devices or portions thereof without damaging those devices.

Dispositivos e métodos para o deposition do vapor de amorfo, silicone-contendo películas finas usando os vapores compreendidos da espécie deuterated. As películas finas crescidas em um wafer da carcaça por este método contêm o deuterium mas pouco a nenhum hidrogênio. Os dispositivos óticos compreendidos dos waveguides óticos dados forma usando este método reduziram significativamente o absorption ou a perda ótica no spectrum ótico próximo-infravermelho usado geralmente para comunicações óticas, comparado à perda nos waveguides dados forma nas películas finas crescidas usando técnicas convencionais do deposition do vapor com o hidrogênio que contem precursors. Em uma variação, os dispositivos óticos são dados forma em uma camada do silicone-óxido que seja dada forma em uma carcaça, tal como uma carcaça do silicone. Os dispositivos óticos de algumas variações são da espécie química SiO.sub.x N.sub.y:D. Desde que o método da formação não requer nenhum recozimento, as películas finas podem ser crescidas em dispositivos eletrônicos e óticos ou em parcelas disso sem danificar aqueles dispositivos.

 
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