A distributed feedback semiconductor laser and a method of manufacture
includes first and second clad layers having predetermined refractive
indexes that are formed on a semiconductor substrate. A guide layer
propagates light between the first and second clad layers. An oscillating
clad layer oscillates light at a predetermined wavelength and an
amplifying clad layer amplifies the light with a predetermined gain
between the first clad layer and the guide layer. The distributed feedback
semiconductor laser is divided into a laser oscillation section including
the oscillating clad layer and a laser amplification section including the
amplifying active layer. First and second gratings are formed on the lower
surface of the guide layer in the laser oscillation section and in the
laser amplification section, respectively.
Распределенный лазер полупроводника обратной связи и метод изготовления вклюают сперва и во-вторых clad слои предопределяя рефрактивные индексы сформированы на субстрате полупроводника. Слой направляющего выступа распространяет свет между первыми и вторыми clad слоями. Осциллируя clad слой осциллирует свет на предопределенной длине волны и усиливаясь clad слой усиливает свет с предопределенным увеличением между первым clad слоем и слоем направляющего выступа. Распределенный лазер полупроводника обратной связи разделен в раздел колебания лазера включая осциллируя clad слой и раздел амплификации лазера включая усиливаясь активно слой. Во первых и вторые решетки сформируйте на нижней поверхности слоя направляющего выступа в разделе колебания лазера и в разделе амплификации лазера, соответственно.
