A device for the sublimation growth of an SiC single crystal, with
foil-lined crucible. The device for producing an SiC single crystal
includes a crucible with a crucible inner zone. Inside this zone, there is
a storage area for storing a stock of solid SiC and a crystal area in
which an SiC single crystal grows onto an SiC seed crystal. A heater
device is arranged outside the crucible. On a side that faces the crucible
inner zone, the crucible is lined with a foil of tantalum, tungsten,
niobium, molybdenum, rhenium, iridium, ruthenium, hafnium or zirconium. As
a result, the crucible is sealed and a reaction between the aggressive
components of the SiC gas phase and the crucible wall is prevented.
Un dispositivo para el crecimiento de la sublimación de un solo cristal de SiC, con el crisol hoja-alineado. El dispositivo para producir un solo cristal de SiC incluye un crisol con una zona interna del crisol. Dentro de esta zona, hay un almacén para almacenar una acción de SiC sólido y un área cristalina en la cual un solo cristal de SiC crece sobre un cristal de semilla de SiC. Un dispositivo del calentador se arregla fuera del crisol. En un lado que haga frente a la zona interna del crisol, el crisol se alinea con una hoja del tantalio, del tungsteno, del niobium, del molibdeno, del renio, del iridio, del rutenio, del hafnium o del circonio. Consecuentemente, se sella el crisol y una reacción entre los componentes agresivos de la fase de gas de SiC y la pared del crisol se previene.
