Conductive layers are formed in the trenches made in an insulating film in
the following manner. First, an amorphous silicon film 26A is deposited in
the trenches 25 made in a silicon oxide film 24. A photoresist film 30 is
then formed on the amorphous silicon film 26A by means of spin coating.
Then, exposure light is applied to the entire surface of the photoresist
film 30, thereby exposing to light those parts of the photoresist film 30
which lie outside the trenches 25. The other parts of the photoresist film
30, which lie in the trenches 25 are not exposed to light because the
light reaching them is inadequate. Further, the photoresist film 30 is
developed thereby removing those parts of the film 30 which lie outside
the trenches 25 and which have been exposed to light. Thereafter, those
parts of the amorphous silicon film 26A, which lie outside the trenches
25, are removed by means of dry etching using, as a mask, the unexposed
parts of the photoresist film 30 which remain in the trenches 25.
Des couches conductrices sont formées dans les fossés faits dans un film isolant de la façon suivante. D'abord, un film amorphe 26A de silicium est déposé dans les fossés 25 a fait dans un film 24 d'oxyde de silicium. Un film 30 de vernis photosensible est alors formé sur le film amorphe 26A de silicium au moyen d'enduit de rotation. Puis, la lumière d'exposition est appliquée à la surface entière du film 30 de vernis photosensible, exposant de ce fait pour allumer ces parties du film 30 de vernis photosensible qui se trouvent en dehors des fossés 25. Les autres parties du vernis photosensible filment 30, qui se situent dans les fossés 25 ne sont pas exposées à la lumière parce que la lumière les atteignant est insatisfaisante. De plus, le film 30 de vernis photosensible est développé enlevant de ce fait ces parties du film 30 qui se trouvent en dehors des fossés 25 et qui ont été exposées à la lumière. Ensuite, ces parties du silicium amorphe filment 26A, qui se trouvent en dehors des fossés 25, sont enlevées au moyen de gravure à l'eau-forte sèche en utilisant, comme masque, les parties non exposées du film 30 de vernis photosensible qui demeurent dans les fossés 25.
