Method of depositing a low dielectric with organo silane

   
   

A method and apparatus for depositing a low dielectric constant film by reaction of an organo silane compound and an oxidizing gas. The oxidized organo silane film has excellent barrier properties for use as a liner or cap layer adjacent other dielectric layers. The oxidized organo silane film can also be used as an etch stop or an intermetal dielectric layer for fabricating dual damascene structures. The oxidized organo silane films also provide excellent adhesion between different dielectric layers. A preferred oxidized organo silane film is produced by reaction of methyl silane, CH.sub.3 SiH.sub.3, and N.sub.2 O.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για μια χαμηλή ταινία διηλεκτρικής σταθεράς με την αντίδραση μιας silane organo ένωσης και μια οξείδωση αέριο. Η οξειδωμένη silane organo ταινία έχει τις άριστες ιδιότητες εμποδίων για τη χρήση ως σκάφος της γραμμής ή το στρώμα ΚΑΠ δίπλα σε άλλα διηλεκτρικά στρώματα. Η οξειδωμένη silane organo ταινία μπορεί επίσης να χρησιμοποιηθεί δεδομένου ότι χαράξτε τη στάση ή ένα intermetal διηλεκτρικό στρώμα για την κατασκευή των διπλών δομών damascene. Οι οξειδωμένες silane organo ταινίες παρέχουν επίσης την άριστη προσκόλληση μεταξύ των διαφορετικών διηλεκτρικών στρωμάτων. Μια προτιμημένη οξειδωμένη silane organo ταινία παράγεται από την αντίδραση μεθυλικών silane, CH.sub.3 SiH.sub.3, και N.sub.2 ο.

 
Web www.patentalert.com

< Deuterium reservoirs and ingress paths

< Method of making multiple work function gates by implanting metals with metallic alloying additives

> Display and method of driving display

> Method of manufacturing a semiconductor device with an L-shaped/reversed L-shaped gate side-wall insulating film

~ 00122