Techniques of shallow trench isolation and devices produced therefrom are
provided. The techniques of shallow trench isolation utilize foamed
polymers, cured aerogels or air gaps as the insulation medium. Such
techniques facilitate lower dielectric constants than the standard silicon
dioxide due to the cells of gaseous components inherent in foamed
polymers, cured aerogels or air gaps. Lower dielectric constants reduce
capacitive coupling concerns and thus permit higher device density in an
integrated circuit device.
Las técnicas del aislamiento bajo y de los dispositivos del foso producidos therefrom se proporcionan. Las técnicas del aislamiento bajo del foso utilizan los polímeros hechos espuma, los aerogels curados o los boquetes de aire como el medio del aislamiento. Tales técnicas facilitan constantes dieléctricas más bajas que el dióxido estándar del silicio debido a las células de los componentes gaseosos inherentes en polímeros hechos espuma, aerogels curados o boquetes de aire. Baje las constantes dieléctricas reducen preocupaciones del acoplador capacitivo y permiten así una densidad más alta del dispositivo en un dispositivo del circuito integrado.
