In a multi-layered structure of the organic EL diode, a gate insulating
layer is formed on a buffer layer. A first insulating layer is formed on
the gate insulating layer. An anode is formed on the first insulating
layer. Second and third insulating layers commonly having an open portion
are sequentially formed on the anode. An organic EL layer and a cathode
are connected to the anode through the open portion. The anode is
connected to a drain electrode of a TFT through an anode contact hole and
the TFT is insulated from the organic EL layer by the third insulating
layer.
Dans une structure multicouche de la diode organique de EL, une couche de isolation de porte est formée sur une couche d'amortisseur. Une première couche de isolation est formée sur la couche de isolation de porte. Une anode est formée sur la première couche de isolation. En second lieu et les troisième couches de isolation ayant généralement une partie ouverte sont séquentiellement formés sur l'anode. Une couche organique de EL et une cathode sont reliées à l'anode par la partie ouverte. L'anode est reliée à une électrode de drain d'un TFT par un trou de contact d'anode et le TFT est isolé de la couche organique de EL par la troisième couche de isolation.
