Insulated gate semiconductor device with low on voltage and manufacturing method thereof

   
   

It is an object to obtain an insulated gate semiconductor device with an unreduced current value capable of being turned off while adopting structure for reducing the ON voltage, and a manufacturing method thereof. An N layer (43) is provided in close contact on a surface of an N.sup.- layer (42), a P base layer (44) is provided in close contact on the surface of the N layer (43), and a trench (47) which passes at least through the P base layer (44) is provided, and a gate electrode (49) is provided in the trench (47) through a gate insulating film (48). The carrier distribution of the N.sup.- layer (42) becomes closer to the carrier distribution of a diode, and an ON voltage is decreased and a current value capable of being turned off is not decreased when turning off. Accordingly, there are provided an insulated gate semiconductor device with low power consumption, small size, large capacity and high reliability.

É um objeto para obter um dispositivo de semicondutor isolado da porta com um valor atual não reduzido capaz de ser desligado ao adotar a estrutura para reduzir SOBRE a tensão, e um método de manufacturing disso. Uma camada de N (43) é fornecida no contato próximo em uma superfície de um N.sup. - mergulhe (42), um P que a camada baixa (44) é fornecida no contato próximo na superfície da camada de N (43), e uma trincheira (47) que as passagens ao menos com a camada baixa de P (44) sejam fornecidas, e um elétrodo de porta (49) é fornecido na trincheira (47) através de uma película isolando da porta (48). A distribuição do portador do N.sup. - a camada (42) torna-se mais perto da distribuição do portador de um diodo, e uma tensão é diminuída SOBRE e um valor atual capaz de ser desligado não é diminuído ao desligar. Conformemente, é fornecido um dispositivo de semicondutor isolado da porta com o consumo de potência baixo, o tamanho pequeno, a capacidade grande e a confiabilidade elevada.

 
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