A semiconductor component includes a semiconductor body having a substrate
of a first conduction type and a first layer of a second conduction type
that is located above the substrate. A channel zone of the first
conduction type is formed in the first layer. A first terminal zone of the
second conduction type is configured adjacent the channel zone. A second
terminal zone of the first conduction type is formed in the first layer.
Compensation zones of the first conduction type are formed in the first
layer. A second layer of the second conduction type is configured between
the substrate and the compensation zones.
Un componente a semiconduttore include un corpo a semiconduttore che ha un substrato di un primo tipo di conduzione e di un primo strato di secondo tipo di conduzione che è situato sopra il substrato. Una zona della scanalatura del primo tipo di conduzione è formata nel primo strato. Una prima zona terminale del secondo tipo di conduzione è adiacente configurato la zona della scanalatura. Una seconda zona terminale del primo tipo di conduzione è formata nel primo strato. Le zone della compensazione del primo tipo di conduzione sono formate nel primo strato. Un secondo strato del secondo tipo di conduzione è configurato fra il substrato e le zone della compensazione.
