A high voltage MOS transistor is provided that is compatible with
low-voltage, sub-micron CMOS and BiCMOS processes. The high voltage
transistor of the present invention has dopants that are implanted into
the substrate prior to formation of the epitaxial layer. The implanted
dopants diffuse into the epitaxial layer from the substrate during the
formation of the epitaxial layer and subsequent heating steps. The
implanted dopants increase the doping concentration in a lower portion of
the epitaxial layer. The implanted dopants may diffuse father into the
epitaxial layer than dopants in the buried layer forming an up-retro well
that prevents vertical punch-through at high operating voltages for thin
epitaxial layers. In addition, the doping concentration below the gate may
be light so that the threshold voltage of the transistor is low. Also, the
high voltage transistor of the present invention may be isolated from the
substrate and the buried layer, and have symmetrical source and drain
regions so that it can be used as a pass transistor.
Ein Hochspannung MOS Transistor ist, vorausgesetzt daß mit Schwachstrom-, sub-micron CMOS und BiCMOS Prozessen kompatibel ist. Der Hochspannungstransistor der anwesenden Erfindung hat Dopante, die in das Substrat vor Anordnung der Epitaxial- Schicht eingepflanzt werden. Die eingepflanzten Dopante diffundieren in die Epitaxial- Schicht vom Substrat während der Anordnung der Epitaxial- Schicht und folgenden der Heizung Schritte. Die eingepflanzten Dopante erhöhen die lackierende Konzentration in einem untereren Teil der Epitaxial- Schicht. Die eingepflanzten Dopante können Vater in die Epitaxial- Schicht als Dopante in der begrabenen Schicht zerstreuen, die gut ein up-retro bildet, das Vertikale Durchschlag-durch an hohe funktionierende Spannungen für dünne Epitaxial- Schichten verhindert. Zusätzlich kann die lackierende Konzentration unterhalb des Gatters Licht sein, damit die Schwelle Spannung des Transistors niedrig ist. Auch der Hochspannungstransistor der anwesenden Erfindung kann vom Substrat und von der begrabenen Schicht lokalisiert werden und hat symmetrische Quelle und läßt Regionen ab, damit er als Durchlauftransistor benutzt werden kann.
