Non-volatile random access memory cells associated with thin film constructions

   
   

The invention pertains to thin film constructions comprising NVRAM devices built over a versatile substrate base. In particular aspects, a device includes a body region, and further include first and second diffusion regions formed in the body region. A channel region is in the body region between the first and second diffusion regions. A gate insulator stack is above the channel region, and a gate is over the gate insulator stack. The gate insulator stack includes a floating plate charge center which is electrically connected to the second diffusion region. The memory device includes a diode which connects the body region to the second diffusion region such that the floating plate is charged when the diode is reversed biased. The invention also includes electronic systems comprising novel TFT-based NVRAM devices.

Die Erfindung betrifft die Dünnfilmaufbauten, welche die NVRAM Vorrichtungen enthalten, die über einer vielseitigen begabt Substratunterseite errichtet werden. Insbesondere schließt Aspekte, eine Vorrichtung eine Körperregion ein und schließt weiter zuerst und die zweiten Diffusion (Zerstäubung) Regionen ein, die in der Körperregion gebildet werden. Eine Führung Region ist in der Körperregion zwischen den ersten und zweiten Diffusion (Zerstäubung) Regionen. Ein Gatterisolierung Stapel ist über der Führung Region, und ein Gatter ist über dem Gatterisolierung Stapel. Der Gatterisolierung Stapel schließt eine sich hin- und herbewegende Platte Aufladung Mitte ein, die elektrisch an die zweite Diffusion (Zerstäubung) Region angeschlossen wird. Das größtintegrierte Speicherbauelement schließt eine Diode mit ein, die die Körperregion an die zweite Diffusion (Zerstäubung) Region so anschließt, daß die sich hin- und herbewegende Platte aufgeladen wird, wenn die Diode voreingenommen aufgehoben wird. Die Erfindung schließt auch die elektronischen Systeme ein, die Roman TFT-gegründete NVRAM Vorrichtungen enthalten.

 
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