The present invention is directed to a method of forming an FeRAM
integrated circuit, which includes evaluating the capacitor stack to
determine the efficacy of the sidewall diffusion barrier layer deposition.
When evaluating the capacitor stack after etching a masking layer portion
of the hard mask, if "ears" are seen on top of the stack, the sidewall
diffusion barrier layer is sufficiently thick to provide an adequate
sidewall barrier. Evaluation may be performed using a standard or tilt
scanning electron microscope, for example.
A invenção atual é dirigida a um método de dar forma a um circuito integrado de FeRAM, que inclua a avaliação da pilha do capacitor para determinar o efficacy do deposition da camada de barreira da difusão do sidewall. Ao avaliar a pilha do capacitor após ter gravado uma parcela da camada mascarando da máscara dura, se as "orelhas" forem vistas no alto da pilha, a camada de barreira da difusão do sidewall é suficientemente grossa fornecer uma barreira adequada do sidewall. A avaliação pode ser executada usando um padrão ou um microscópio de elétron da exploração da inclinação, para o exemplo.
