An atmospheric pressure wafer processing system for delivering at least one
gas is provided, having an exhaust control feedback system that utilizes
sensors to measure the pressure within the system and adjusts control
units to maintain the desired set pressures within the system. In
particular the sensors measure the small differential pressures inside a
muffle, and specifically the load, bypass center and unload sections of
the muffle, relative to the chase ambient pressure. Controlling the muffle
pressures directly within the atmospheric system yields a more stable
pressure balance for processing wafers less subject to changes in the
external environment and allows for compensation of varying input gas
flows as occurs when the supply pressure to the system may vary. This
system and method of pressure control is particularly advantageous for
chemical vapor deposition application yielding improved process
repeatability over an extended period of runtime.
Een atmosferisch de verwerkingssysteem van het drukwafeltje om minstens één gas wordt te leveren verstrekt, hebbend een de terugkoppelingssysteem van de uitlaatcontrole dat sensoren gebruikt om de druk binnen het systeem te meten en controleeenheden aanpast om de gewenste vastgestelde druk binnen het systeem te handhaven. In het bijzonder meten de sensoren de kleine differentiële druk binnen dempen, en specifiek de lading, omleidingscentrum en leegmaken secties van dempen, met betrekking tot de jacht omringende druk. Controleren dempt direct druk binnen de atmosferische systeemopbrengsten een stabieler druksaldo voor verwerkingswafeltjes minder onderwerp aan veranderingen in het externe milieu en staat voor compensatie van de variërende stromen van het inputgas zoals toe voorkomt wanneer de leveringsdruk aan het systeem kan variëren. Deze systeem en methode van drukcontrole zijn bijzonder voordelig voor de toepassing die van het chemische dampdeposito betere procesherhaalbaarheid over een uitgebreide periode van runtime opbrengt.
