A vertical semiconductor rectifier device includes a semiconductor
substrate of first conductivity type and having a plurality of gates
insulatively formed on a first major surface and a plurality of
source/drain regions of the first conductivity type formed in surface
regions of second conductivity type in the first major surface adjacent to
the gates. A plurality of channels of the second conductivity type each
abuts a source/drain region and extends under a gate, each channel being
laterally graded with a sloped P-N junction sepcarating the channel region
from the substrate of first conductivity type, In fabricating the vertical
semiconductor rectifier device, a partial ion mask is formed on the
surface of the semiconductor with the mask having a sloped surface which
varies the path length of ions through the mask to form laterally-graded
channel regions.
Eine vertikale Halbleitergleichrichtervorrichtung schließt ein Halbleitersubstrat der ersten Leitfähigkeitart mit ein und eine Mehrzahl der Gatter, die insulatively auf einer ersten Hauptoberfläche gebildet werden und eine Mehrzahl der source/drain Regionen der ersten Leitfähigkeitart, die in den Oberflächenregionen der zweiten Leitfähigkeit habend gebildet wird, tippen Sie die erste Hauptoberfläche neben den Gattern ein. Eine Mehrzahl der Führungen der zweiten Leitfähigkeitart jede berührt eine source/drain Region und verlängert unter einem Gatter, jede Führung, die seitlich mit einer geneigten P-N Verzweigung geordnet wird, welche die Führung Region vom Substrat der ersten Leitfähigkeitart sepcarating ist, wenn sie die vertikale Halbleitergleichrichtervorrichtung, eine teilweise Ionenschablone fabriziert, wird gebildet auf der Oberfläche des Halbleiters mit der Schablone, die eine geneigte Oberfläche hat, die die Weglänge der Ionen durch die Schablone zu Form seitlich-geordneten Führung Regionen verändert.
