A semiconductor device in which a problem such as a thermal diffusion
defect in a hollow wiring technique can be solved. In the semiconductor
device, a gap is formed between wirings formed on a substrate, and the gap
is filled with a gas having a thermal conductivity equal to or higher than
three times that of air at 0.degree. C.
Een halfgeleiderapparaat waarin een probleem zoals een thermische verspreidingstekort in een holle bedradingstechniek kan worden opgelost. In het halfgeleiderapparaat, wordt een hiaat gevormd tussen bedradingen gevormd op een substraat, en het hiaat wordt met een gas gevuld dat een warmtegeleidingsvermogen gelijk aan of meer hoog dan drie keer heeft dat van lucht bij 0.degree. C.
