Semiconductor device with multi-layer interlayer dielectric film

   
   

A semiconductor device comprising: an underlayer interconnect layer; an interlayer dielectric film formed with a connection hole reaching the underlayer interconnect layer; and an upper interconnect layer buried in the connection hole, wherein the interlayer dielectric film includes an insulating film containing an impurity for detecting a first etching end point, a first insulating film, an insulating film containing an impurity for detecting a second etching end point and a second insulating film, these four films being laminated in this order.

Прибора на полупроводниках состоя из: слой interconnect underlayer; пленка прослойка диэлектрическая сформировала при отверстие соединения достигая слой interconnect underlayer; и верхний слой interconnect похороненный в отверстии соединения, при котором пленка прослойка диэлектрическая вклюает изолируя пленку содержа примесь для обнаруживать первое end point вытравливания, первой изолируя пленке, изолируя пленке содержа примесь для обнаруживать второе end point вытравливания и второй изолируя пленке, этих 4 пленках будучи прокатыванной в этом заказе.

 
Web www.patentalert.com

< Enhanced high temperature coated superconductors

< Synthesis of lower alkylene oxides and lower alkylene glycols from lower alkanes and/or lower alkenes

> Glass microspheres for use in films and projection screen displays

> Photocatalytic material and photocatalytic article

~ 00120