Magnetoresistive-effect thin film, magnetoresistive-effect element, and magnetoresistive-effect magnetic head

   
   

At least, an antiferromagnetic layer 4, a magnetization fixing layer 12, a non-magnetic layer 9, and a free layer 10 are successively formed. The magnetization fixing layer 12 or the free layer 10 is provided with a layered ferrimagnetic structure which comprises a pair of magnetic layers 5 and 8 through the intermediary of a non-magnetic intermediate layer 6. In the layered ferrimagnetic structure, a surface oxidation layer 7 is formed on the surface of the non-magnetic intermediate layer 6 to the side of the non-magnetic layer 9.

Ao menos, uma camada antiferromagnetic 4, uma camada reparando 12 da magnetização, uma camada non-magnetic 9, e uma camada livre 10 são dadas forma sucessivamente. A camada reparando 12 da magnetização ou a camada livre 10 são fornecidas com uma estrutura ferrimagnetic mergulhada que compreenda um par das camadas magnéticas 5 e 8 através do intermediary de uma camada intermediária non-magnetic 6. Na estrutura ferrimagnetic mergulhada, uma camada de superfície 7 da oxidação é dada forma na superfície da camada intermediária non-magnetic 6 ao lado da camada non-magnetic 9.

 
Web www.patentalert.com

< Thin-film magnetic head having ensured insulation between shield and magnetic detecting element

< Head slider with predetermined physical relationships

> Bending microactuator having a two-piece suspension design

> Apparatus and method of making a stabilized MR/GMR spin valve read element using longitudinal ferromagnetic exchange interactions

~ 00120