Magnetic memory

   
   

There are provided at least one wire, a magnetoresistive effect element having a storage layer whose magnetization direction varies according to a current magnetic field generated by causing a current to flow in the wire, and first yokes provided so as to be spaced from at least one pair of opposed side faces of the magnetoresistive effect element to form a magnetic circuit in cooperation with the magnetoresistive effect element when a current is caused to flow in the wire. Each of the first yokes has at least two soft magnetic layers which are stacked via a non-magnetic layer.

Παρέχεται τουλάχιστον ένα καλώδιο, ένα magnetoresistive στοιχείο επίδρασης που έχουν ένα στρώμα αποθήκευσης η του οποίου κατεύθυνση μαγνήτισης ποικίλλει σύμφωνα με ένα τρέχον μαγνητικό πεδίο που παράγεται με να αναγκάσει ένα ρεύμα για να ρεύσει στο καλώδιο, και πρώτοι ζυγοί που παρέχονται ώστε να χωριστούν κατά διαστήματα από τουλάχιστον ένα ζευγάρι των αντιταγμένων δευτερευόντων προσώπων του magnetoresistive στοιχείου επίδρασης για να διαμορφώσει ένα μαγνητικό κύκλωμα σε συνεργασία με το magnetoresistive στοιχείο επίδρασης όταν προκαλείται ένα ρεύμα για να ρεύσει στο καλώδιο. Κάθε ένας από τους πρώτους ζυγούς έχει τουλάχιστον δύο μαλακά μαγνητικά στρώματα που συσσωρεύονται μέσω ενός non-magnetic στρώματος.

 
Web www.patentalert.com

< Method for chemically etching photo-defined micro electrical contacts

< EMI feedthrough filter terminal assembly having surface mounted, internally grounded hybrid capacitor

> Microstructure cooler and use thereof

> Stereolithographic patterning with variable size exposure areas

~ 00120