A semiconductor device including a substrate having a dopant of a first
polarity, a first semiconducting structure including a dopant of a second
polarity disposed over the substrate, and having substantially planar top
and side surfaces. The semiconductor device includes a first junction,
formed between the first semiconducting structure and the substrate,
having an area wherein at least one lateral dimension is less than about
75 nanometers.
Un dispositif de semi-conducteur comprenant un substrat ayant un dopant d'une première polarité, une première structure semi-conductrice comprenant un dopant d'une deuxième polarité a disposé au-dessus du substrat, et d'avoir les surfaces essentiellement planaires de dessus et de côté. Le dispositif de semi-conducteur inclut une première jonction, formée entre la première structure semi-conductrice et le substrat, ayant un secteur où au moins une dimension latérale est moins qu'environ 75 nanomètres.
