Exemplar embodiments are disclosed which allow errors in a magnetoresistive
solid-state storage device, such as a magnetic random access memory (MRAM)
device, to be minimized. An illustrative method includes the steps of
identifying cells in the device which have a failure mode characterized by
a propensity to remain in a particular orientation of magnetization,
mapping the location of the identified cells, and compensating for the
failure mode of a cell at a mapped location. Systems and computer readable
media are also provided.
Las encarnaciones del exemplar se divulgan que permiten errores en un dispositivo de almacenaje de estado sólido magnetoresistente, tal como un dispositivo magnético de la memoria de acceso al azar (MRAM), para ser reducidas al mínimo. Un método ilustrativo incluye los pasos de identificar las células en el dispositivo que tienen un modo de fallo caracterizado por una propensión de permanecer en una orientación particular de la magnetización, traz la localización de las células identificadas, y compensando para el modo de fallo de una célula en una localización traz. Los sistemas y los medios legibles por computador también se proporcionan.
