A method determines ion beam emittance, i.e., the beam current density
based on position and angle, in a charged particle transport system. The
emittance is determined from variations in the current measured in a slot
Faraday or sample cup as a straight-edged mechanism traverses the beam
upstream of the sample cup in a direction perpendicular to the orientation
of the slot Faraday and the straight-edged mechanism, which also can be
the direction in which the emittance is determined. An expression in terms
of the beam current density can be determined for the derivative of the
sample current with respect to position of the mechanism. Depending on the
angular spread of the beam reaching the sample cup, the density can be
determined directly from the derivative, or can be determined using a
least squares analysis of the derivative over a range of mechanism
positions.
Eine Methode stellt Ionenlichtstrahl emittance d.h. die gegründete Arbeitsstellung und den Winkel der spezifischen Stromdichte des Lichtstrahls, in einem belasteten Partikeltransportsystem fest. Das emittance wird von den Schwankungen des Stromes festgestellt, der in einem Schlitz Faraday oder in der Beispielschale, während eine gerad-umrandete Einheit, gemessen wird den Lichtstrahl stromaufwärts von der Beispielschale in einem Richtung Senkrechten zur Lagebestimmung des Schlitzes Faraday und der gerad-umrandeten Einheit überquert, die die Richtung auch sein können, in der das emittance festgestellt wird. Ein Ausdruck in der spezifischen Stromdichte des Lichtstrahls ausgedrückt kann für die Ableitung des Beispielstromes in Bezug auf Position der Einheit festgestellt werden. Abhängig von der Divergenz des Lichtstrahls, der die Beispielschale erreicht, kann die Dichte direkt von der Ableitung festgestellt werden oder kann mit einer kleinsten Quadratanalyse der Ableitung über einer Strecke der Einheit Positionen festgestellt werden.
