Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication
methods. The photodiode arrays are back illuminated photodiode arrays
having a substrate of a first conductivity type having first and second
surfaces, the second surface having a layer of the first conductivity type
having a greater conductivity than the substrate. The arrays also have a
matrix of regions of a first conductivity type of a higher conductivity
than the substrate extending from the first surface of the substrate to
the layer of the first conductivity type having a greater conductivity
than the substrate, a plurality of regions of the second conductivity type
interspersed within the matrix of regions of the first conductivity type
and not extending to the layer of the first conductivity type on the
second surface of the substrate, and a plurality of contacts on the first
surface for making electrical contact to the matrix of regions of the
first conductivity type and the plurality of regions of the second
conductivity type.
De ultra dunne achter-verlichte structuren van de fotodiodeserie en vervaardigingsmethodes. De fotodiodeseries zijn terug verlichte fotodiodeseries die een substraat van een eerste geleidingsvermogentype eerst en tweede oppervlakten hebben die, de tweede oppervlakte die een laag van het eerste geleidingsvermogentype hebben die een groter geleidingsvermogen hebben dan het substraat hebben. De series hebben ook een matrijs van gebieden van een eerste geleidingsvermogentype van een hoger geleidingsvermogen dan het substraat zich uitbreidt van de eerste oppervlakte van het substraat tot de laag van het eerste geleidingsvermogentype dat een groter geleidingsvermogen heeft dan het substraat, een meerderheid van gebieden van het tweede geleidingsvermogentype dat binnen de matrijs van gebieden van het eerste geleidingsvermogentype zich en het uitbreiden niet tot de laag van het eerste geleidingsvermogentype op de tweede oppervlakte van het substraat, en een meerderheid van contacten op de eerste oppervlakte voor het opnemen van elektrocontact tot de matrijs van gebieden van het eerste geleidingsvermogen wordt gestrooid typen en de meerderheid van gebieden van het tweede geleidingsvermogentype.
