Ohmic contacts on p-type silicon carbide using carbon films

   
   

Ohmic contact formation on p-type Silicon Carbide is disclosed. The formed contact includes an initial amorphous Carbon film layer converted to graphitic sp.sup.2 Carbon during an elevated temperature annealing sequence. Decreased annealing sequence temperature, reduced Silicon Carbide doping concentration and reduced specific resistivity in the formed ohmic contact are achieved with respect to a conventional p-type Silicon Carbide ohmic contact. Addition of a Boron carbide layer covering the p-type Silicon Carbide along with the sp.sup.2 Carbon is also disclosed. Ohmic contact improvement with increased annealing temperature up to an optimum temperature near 1000.degree. C. is included. Addition of several metals including Aluminum, the optimum metal identified, over the Carbon layer is also included; many other of the identified metals provide Schottky rather than the desired ohmic contacts, however.

Ohmsche Kontaktanordnung auf Part Silikon-Karbid wird freigegeben. Der gebildete Kontakt schließt eine formlose Carbonfilmzuerstschicht ein, die in graphitic Carbon sp.sup.2 während einer erhöhten Temperaturausglühenreihenfolge umgewandelt wird. Verringerte tempernde Reihenfolge Temperatur, verringerte lackierende Konzentration des Silikon-Karbids und verringerte spezifische Widerstandskraft im gebildeten ohmschen Kontakt werden in Bezug auf eine herkömmliche Part ohmscher Kontakt des Silikon-Karbids erzielt. Hinzufügung einer Borkarbidschicht, welche die Part Silikon-Karbid zusammen mit dem Carbon sp.sup.2 umfaßt, wird auch freigegeben. Ohmsche Kontaktverbesserung mit erhöhter tempernder Temperatur bis zu einer optimalen Temperatur nahe 1000.degree. C. ist enthalten. Hinzufügung einiger Metalle einschließlich Aluminium, das optimale gekennzeichnete Metall, über der Carbonschicht ist auch eingeschlossen; viel anderes der gekennzeichneten Metalle liefern Schottky anstatt die gewünschten ohmschen Kontakte, jedoch.

 
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