Local probe of magnetic properties

   
   

Systems and methods for probing the magnetic permeability of a material are disclosed. A sensor unit can be configured to comprise magnet layers thereof, including a soft ferromagnetic layer, a first hard ferromagnetic layer and a second hard ferromagnetic layer. An intermediate layer (e.g., conductor or insulator) can be disposed between the first hard ferromagnetic layer and the soft ferromagnetic layer within the sensor unit. Additionally, a spacer layer can be disposed between the soft ferromagnetic layer and the second hard ferromagnetic layer, wherein the sensor unit measures the magnetic properties of a material located a distance from the sensor unit through the magnetic interaction of the magnetic layers of the sensor unit. Conduction between the first hard ferromagnetic layer and the soft ferromagnetic layer generally occurs via tunneling.

Τα συστήματα και οι μέθοδοι για τη μαγνητική διαπερατότητα ενός υλικού αποκαλύπτονται. Μια μονάδα αισθητήρων μπορεί να διαμορφωθεί για να περιλάβει τα στρώματα μαγνητών επ' αυτού, συμπεριλαμβανομένου ενός μαλακού σιδηρομαγνητικού στρώματος, ένα πρώτο σκληρό σιδηρομαγνητικό στρώμα και ένα δεύτερο σκληρό σιδηρομαγνητικό στρώμα. Ένα ενδιάμεσο στρώμα (π.χ., αγωγός ή μονωτής) μπορεί να διατεθεί μεταξύ του πρώτου σκληρού σιδηρομαγνητικού στρώματος και του μαλακού σιδηρομαγνητικού στρώματος μέσα στη μονάδα αισθητήρων. Επιπλέον, ένα στρώμα πλήκτρων διαστήματος μπορεί να διατεθεί μεταξύ του μαλακού σιδηρομαγνητικού στρώματος και το δεύτερο σκληρό σιδηρομαγνητικό στρώμα, όπου η μονάδα αισθητήρων μετρά οι μαγνητικές ιδιότητες ενός υλικού εντόπισε μια απόσταση από τη μονάδα αισθητήρων μέσω της μαγνητικής αλληλεπίδρασης των μαγνητικών στρωμάτων της μονάδας αισθητήρων. Η διεξαγωγή μεταξύ του πρώτου σκληρού σιδηρομαγνητικού στρώματος και του μαλακού σιδηρομαγνητικού στρώματος εμφανίζεται γενικά μέσω να ανοίξει.

 
Web www.patentalert.com

< Electron spin mechanisms for inducing magnetic-polarization reversal

< Accelerated life test of MRAM cells

> Noise resistant small signal sensing circuit for a memory device

> Thermally-assisted magnetic memory structures

~ 00119