A lower electrode is formed on an insulating film on a semiconductor
substrate. A pair of ferroelectric films are formed on the lower electrode
separately from each other. An upper electrode is formed on each of the
pair of ferroelectric films. A portion of the lower electrode on which the
ferroelectric film is formed is thicker than a portion thereof on which
the ferroelectric film is not formed. Such a structure is obtained by
sequentially depositing the lower electrode, the ferroelectric film, and
the upper electrode on the insulating film, forming a mask on the
upper-electrode, using this mask to etch the upper-electrode and the
ferroelectric film to thereby pattern a pair of upper electrodes and a
pair of ferroelectric electrodes, forming such a mask that continuously
covers the pair of upper electrodes and the pair of ferroelectric films,
and then etching the lower-electrode material film.
Eine unterere Elektrode wird auf einem isolierenden Film auf einem Halbleitersubstrat gebildet. Ein Paar ferroelectric Filme werden auf der untereren Elektrode separat von einander gebildet. Eine obere Elektrode wird auf jedem des Paares der ferroelectric Filme gebildet. Ein Teil der untereren Elektrode, auf der der ferroelectric Film gebildet wird, ist stärker als ein Teil davon auf, welchem der ferroelectric Film nicht gebildet wird. Solch eine Struktur wird erhalten, indem man der Reihe nach die unterere Elektrode, den ferroelectric Film und die obere Elektrode auf dem isolierenden Film niederlegt und eine Schablone auf der Oberelektrode mit dieser Schablone, die Oberelektrode und dem ferroelectric Film pattern zu ätzen dadurch ein Paar obere Elektroden und ein Paar ferroelectric Elektroden bildet, solch eine Schablone bildet, die ununterbrochen das Paar der oberen Elektroden und das Paar der ferroelectric Filme bedeckt, und dann den Niedrigelektrode Materialfilm ätzt.
