A physical vapor deposition target includes an alloy of copper and silver,
with the silver being present in the alloy at from less than 1.0 at % to
0.001 at %. In one implementation, a physical vapor deposition target
includes an alloy of copper and silver, with the silver being present in
the alloy at from 50 at % to 70 at %. A physical vapor deposition target
includes an alloy of copper and tin, with tin being present in the alloy
at from less than 1.0 at % to 0.001 at %. In one implementation, a
conductive integrated circuit metal alloy interconnection includes an
alloy of copper and silver, with the silver being present in the alloy at
from less than 1.0 at % to 0.001 at %. A conductive integrated circuit
metal alloy interconnection includes an alloy of copper and silver, with
the silver being present in the alloy at from 50 at % to 70 at %. A
conductive integrated circuit metal alloy interconnection includes an
alloy of copper and tin, with tin being present in the alloy at from less
than 1.0 at % to 0.001 at %. Other useable copper alloys include an alloy
of copper and one or more other elements, the one or more other elements
being present in the alloy at a total concentration from less than 1.0 at
% to 0.001 at % and being selected from the group consisting of Be, Ca,
Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,
Ti, Zr, Hf, Zn, Cd, B, Ga, In, C, Se, Te, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Mn, Tc,
Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ni, Pd, Pt, Au, Tl, and Pb. An electroplating
anode is formed to comprise one or more of the above alloys.
Une cible physique de dépôt de vapeur inclut un alliage de cuivre et l'argent, avec de l'argent étant présent dans l'alliage à moins de de 1.0 chez % à 0.001 chez %. dans une exécution, une cible physique de dépôt de vapeur inclut un alliage de cuivre et d'argent, avec de l'argent étant présent dans l'alliage à de 50 chez % à 70 chez %. de A de vapeur de cible physique de dépôt inclut un alliage de cuivre et l'étain, avec l'étain étant présent dans l'alliage à moins de de 1.0 chez % à 0.001 chez %. dans une exécution, une interconnexion conductrice d'alliage en métal de circuit intégré inclut un alliage de cuivre et d'argent, avec l'argent étant présent dans l'alliage à moins de de 1.0 chez % à 0.001 chez %. de A de circuit intégré en métal d'interconnexion conductrice d'alliage inclut un alliage de cuivre et d'argent, avec de l'argent étant présent dans l'alliage à de 50 chez % à 70 chez %. de A de circuit intégré en métal d'interconnexion conductrice d'alliage inclut un alliage de cuivre et l'étain, avec l'étain étant présent dans l'alliage à moins de de 1.0 chez % à 0.001 chez %. d'autres alliages de cuivre utilisables incluent un alliage de cuivre et un ou plusieurs autres éléments, les un ou plusieurs autres éléments étant présents dans l'alliage à une concentration totale de moins que 1.0 chez % à 0.001 chez % et étant choisi dans le groupe soient, CA, Sr, Ba, Sc, Y, La, ce, P.R., ND, P.M., SM, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, heu, Tm, Yb, Lu, Ti, Zr, à haute fréquence, Zn, Cd, B, Ga, dedans, C, Se, Te, V, NOTA:, Ta, Cr, MOIS, W, manganèse, comité technique, Re, Fe, RU, OS, Co, Rhésus, Ni, palladium, pinte, Au, Tl, et Pb. Une anode de galvanoplastie est formée pour comporter un ou plusieurs des alliages ci-dessus.
