In an intersubband light emitter, at least two injection/relaxation (I/R)
regions contiguous with the same RT region have different doping levels.
Preferably, one I/R region has a doping level that is at least 100 times
lower than that of the other I/R region. In one embodiment, one I/R region
is undoped, whereas the other I/R region is doped.
Σε έναν ελαφρύ εκπομπό intersubband, τουλάχιστον δύο περιοχές εγχύσεων/χαλάρωσης (I/R) παρακείμενες με την ίδια rt περιοχή έχουν τα διαφορετικά επίπεδα νάρκωσης. Κατά προτίμηση, μια περιοχή I/R έχει ένα επίπεδο νάρκωσης που είναι τουλάχιστον 100 φορές χαμηλότερο από αυτό της άλλης περιοχής I/R. Σε μια ενσωμάτωση, μια περιοχή I/R είναι undoped, ενώ η άλλη περιοχή I/R ναρκώνεται.
