An array of crystalline silicon dies on a substrate and a method for
yielding the array are provided. The method comprises: delineating an
array of die areas on a crystalline semiconductor wafer; implanting the
die areas with hydrogen ions; overlying the die areas with a layer of
polymer to form, for each die, an aggregate including a die area first
wafer layer; polymerically bonding an optically clear carrier to the die
areas; thermally annealing the wafer to induce breakage in the wafer;
forming, for each die, an aggregate wafer second layer with a thickness
less than the die thickness; and, for each die, conformably attaching the
aggregate wafer second layer to a substrate. The substrate can have an
area of up to approximately two square meters and the wafer second layer
can have a thickness of greater than and equal to approximately 20
nanometers.
Un arsenal de dados cristalinos del silicio en un substrato y un método para rendir el arsenal se proporcionan. El método abarca: delineación de un arsenal de áreas del dado en una oblea de semiconductor cristalina; implantar las áreas del dado con los iones de hidrógeno; cubrir las áreas del dado con una capa del polímero para formar, para cada dado, un agregado incluyendo capa de la oblea del área del dado una primera; polymerically enlazar a un portador ópticamente claro a las áreas del dado; termal recocer la oblea para inducir fractura en la oblea; formando, para cada dado, una segunda capa de la oblea agregada con un grueso menos que el grueso del dado; y, para cada dado, conformably uniendo la segunda capa de la oblea agregada a un substrato. El substrato puede tener un área de hasta aproximadamente dos metros cuadrados y la segunda capa de la oblea puede tener un grueso de mayor que y del igual a aproximadamente 20 nanómetros.
