An image sensor. The image sensor array includes a substrate. An
interconnect structure is formed adjacent to the substrate. An amorphous
silicon electrode layer is adjacent to the interconnect structure. The
amorphous silicon electrode layer includes electrode ion implantation
regions between pixel electrode regions. The pixel electrode regions
define cathodes of an array of image sensors. The electrode ion
implantation regions provide physical isolation between the pixel
electrode regions. The cathodes are electrically connected to the
interconnect structure. An amorphous silicon I-layer is adjacent to the
amorphous silicon electrode layer. The amorphous silicon I-layer forms an
inner layer of each of the image sensors. A transparent electrode layer is
formed adjacent to the image sensors. An inner surface of the transparent
electrode is electrically connected to anodes of the image sensors and the
interconnect structure. The amorphous silicon I-layer region can further
include I-layer ion implantation regions that provide physical isolation
between the inner layers of the image sensors. The I-layer ion
implantation regions align with the electrode ion implantation regions. An
amorphous silicon P-layer can be formed adjacent to the amorphous silicon
I-layer. The amorphous silicon P-layer forms an outer layer of each of the
image sensors. The amorphous silicon P-layer region can include P-layer
ion implantation regions that provide physical isolation between the outer
layers of the image sensors.
Een beeldsensor. De serie van de beeldsensor omvat een substraat. Een interconnect structuur wordt gevormd naast het substraat. Een amorfe laag van de siliciumelektrode is naast de interconnect structuur. De amorfe laag van de siliciumelektrode omvat gebieden van de elektroden de ioneninplanting tussen de gebieden van de pixelelektrode. De gebieden van de pixelelektrode bepalen kathoden van een serie van beeldsensoren. De gebieden van de elektroden ioneninplanting verstrekken fysieke isolatie tussen de gebieden van de pixelelektrode. De kathoden worden elektrisch verbonden met de interconnect structuur. Een amorfe silicium I-Laag is naast de amorfe laag van de siliciumelektrode. De amorfe silicium I-Laag vormt een binnenlaag van elk van de beeldsensoren. Een transparante elektrodenlaag wordt gevormd naast de beeldsensoren. Een binnenoppervlakte van de transparante elektrode wordt elektrisch verbonden met anoden van de beeldsensoren en de interconnect structuur. Amorfe silicium kan het I-Laag gebied I-Laag ioneninplantingsgebieden verder omvatten die fysieke isolatie tussen de binnenlagen beeldsensoren verstrekken. De I-Laag ioneninplantingsgebieden richten zich op de gebieden van de elektroden ioneninplanting. Een amorfe siliciumspeler kan naast de amorfe silicium I-Laag worden gevormd. De amorfe siliciumspeler vormt een buitenlaag van elk van de beeldsensoren. Het amorfe gebied van de siliciumspeler kan ionen de inplantingsgebieden van de Speler omvatten die fysieke isolatie tussen de buitenlagen beeldsensoren verstrekken.
