A memory (110) uses memory cells not intended for user programming referred
to as `dummy` cells (202, 206). When selected, the dummy cells provide a
current that establishes a reference voltage substantially equal to
one-half of voltage created in a bit line by a cell programmed to a one
and a cell programed to a zero. The reference voltage is sensed and
compared with a bit line voltage created when a memory cell is read. By
time multiplexing either one dummy cell programmed to a logic one or two
dummy cells per bit line programmed respectively to logic one and logic
zero, the desired reference voltage is accurately created. Memories such
as MRAM and Flash that may be is difficult to accurately sense due to cell
processing variations are enhanced by the timed selective use of one or
more dummy cells.
Uma memória (110) usa as pilhas de memória não pretendidas para a programação de usuário consultada como às pilhas do dummy` do ` (202, 206). Quando selecionadas, as pilhas dummy fornecem uma corrente que estabeleça uma tensão da referência substancialmente igual a um meio da tensão criada em uma linha do bocado por uma pilha programada a essa e uma pilha programada a um zero. A tensão da referência está detetada e comparada com uma linha tensão do bocado criada quando uma pilha de memória é lida. Pelo tempo multiplexing uma pilha dummy programada a umas pilhas dummy da lógica uma ou dois por a linha do bocado programou respectivamente à lógica uma e a lógica zero, a tensão desejada da referência é criada exatamente. Memórias tais como MRAM e flash que podem ser são difíceis de detetar exatamente devido às variações processando da pilha são realçados pelo uso seletivo programado de um ou mais pilha dummy.
